NVBG030N120M3S, SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 30MOHM 1200V M3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8024119184
- Артикул
- NVBG030N120M3S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 11 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
- Rise Time:
- 20 ns
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор NVBG030N120M3S из карбида кремния (SiC) onsemi NVBG030N120M3S из карбида кремния (SiC) - это планарный МОП-транзистор M3S на 1200 В, оптимизированный для быстрой коммутации. Этот МОП-транзистор имеет сверxнизкий заряд затвора 107 НКС, высокоскоростную коммутацию 106 ПФ при низкой емкости и типичное сопротивление стока к источнику 29 Мом при VGS=18 В. Полупроводниковый МОП-транзистор NVBG030N120M3S обеспечивает оптимальную производительность при использовании привода затвора напряжением 18 В; однако он также xорошо работает и с приводом затвора напряжением 15 В. Этот МОП-транзистор прошел 100%-ное лавинное тестирование, соответствует стандарту AEC-Q101 и поддерживает PPAP. МОП-транзистор NVBG030N120M3S поставляется в корпусе D2PAK-7L для обеспечения низкой индуктивности общего источника и не содержит свинца 2LI (при подключении второго уровня) и соответствует требованиям RoHS (за исключением 7a). Типичные области применения включают автомобильные бортовые зарядные устройства и преобразователи постоянного тока для EV/HEV.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 11 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 20 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | SiC MOSFETS |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-7 |
| Product Category: | SiC MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 107 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 348 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -10 V, +22 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 48 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 54 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 30 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 39 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 1.2 kV |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.4 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -10 V, +22 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1200 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 30мОм |