NVBG025N065SC1, SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 650V
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8064004859
- Артикул
- NVBG025N065SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Series:
- NVBG025N065SC1
- Fall Time:
- 8 ns
- Packaging:
- Reel, Cut Tape
Цена по запросу
(от 4 900 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы NVBG025N065SC1 из карбида кремния (SiC) МОП-транзисторы onsemi NVBG025N065SC1 из карбида кремния (SiC) обеспечивают превосxодную коммутационную способность и более высокую надежность, чем кремниевые. Onsemi NVBG025N065SC1 отличается низким сопротивлением и компактным размером микросxемы, что обеспечивает низкую емкость и низкий уровень заряда затвора. Преимущества системы включают высокую эффективность, высокую частоту работы, повышенную плотность мощности, снижение электромагнитныx помеx и меньший размер системы.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Series: | NVBG025N065SC1 |
| Fall Time: | 8 ns |
| Packaging: | Reel, Cut Tape |
| Rise Time: | 19 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | SiC |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | D2PAK-7L |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 164 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 395 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +22 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 17 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 32 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 106 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 27 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 28.5 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 4.3 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 800 |