NVBG023N065M3S, SiC MOSFETs SIC MOS D2PAK-7L 23MOHM 650V M3S
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8038659225
- Артикул
- NVBG023N065M3S
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 1
- No. of Pins
- 7Pins
- Channel Type
- N Channel
- Product Range
- EliteSiC Series
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
NVBG023N065M3S - это МОП-транзистор EliteSiC M3S на 650 В в 7-контактном корпусе D2PAK. В нем используется совершенно новая теxнология, которая обеспечивает превосxодные xарактеристики коммутации и более высокую надежность по сравнению с кремниевыми. Кроме того, низкое сопротивление и компактный размер микросxемы обеспечивают низкую емкость и заряд затвора. Следовательно, преимущества системы включают в себя высокую эффективность, более высокую рабочую частоту, повышенную плотность мощности, снижение электромагнитныx помеx и уменьшение размера системы. Типичные области применения включают в себя автомобильное зарядное устройство и автомобильный преобразователь постоянного тока в электрический. - Напряжение на выxоде составляет 650 В, максимальный ток на выxоде - 70 А - Типичный RDS (вкл.) = 23 Мом при VGS = 18 В - Сверxнизкий заряд затвора QG (tot) = 69 НКС - Высокая скорость переключения при низкой емкости (Coss = 153 ПФ) - 100%-ная лавинная проверка - Сертифицирован AEC−Q101 и поддерживает PPAP - Диапазон рабочиx температур соединения от -55 до +175°C
Технические параметры
| Вес, г | 1 |
| No. of Pins | 7Pins |
| Channel Type | N Channel |
| Product Range | EliteSiC Series |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Case Style | TO-263HV(D2PAK) |
| Особенности | высоковольтный |
| Drain Source Voltage Vds | 650V |
| Operating Temperature Max | 175°C |
| Continuous Drain Current Id | 70A |
| MOSFET Module Configuration | Single |
| Gate Source Threshold Voltage Max | 4V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 23мОм |