Моя заявка (0)

NVBG022N120M3S, D2PAK7(TO-263-7L-HV) Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS

NVBG022N120M3S, D2PAK7(TO-263-7L-HV) Silicon Carbide Field Effect Transistor (MOSFET) ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8049012563
Артикул
NVBG022N120M3S
Бренд
ON Semiconductor***
Brand:
onsemi
Fall Time:
14 ns
Packaging:
Reel, Cut Tape
Rise Time:
24 ns
Цена по запросу
(от 5 260 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзисторы NVBG022N120M3S из карбида кремния (SiC) МОП-транзисторы onsemi NVBG022N120M3S из карбида кремния (SiC) - это плоские МОП-транзисторы SiC M3S напряжением 1200 В, оптимизированные для быстрого переключения. onsemi NVBG022N120M3S оснащен теxнологией planar, которая надежно работает с приводами с отрицательным напряжением на затворе и отключает выбросы напряжения на затворе. Это семейство обеспечивает оптимальную производительность при использовании привода с напряжением 18 В, но также работает и с приводами с напряжением 15 В.

Технические параметры

Brand:onsemi
Fall Time:14 ns
Packaging:Reel, Cut Tape
Rise Time:24 ns
Вес, г2.01
Technology:SiC
Subcategory:MOSFETs
Channel Mode:Enhancement
Manufacturer:onsemi
Product Type:MOSFET
Configuration:Single
Mounting Style:SMD/SMT
Package / Case:D2PAK-7L
Transistor Type:1 N-Channel
Product Category:MOSFET
Qg - Gate Charge:20 nC
Number of Channels:1 Channel
Transistor Polarity:N-Channel
Pd - Power Dissipation:234 W
Vgs - Gate-Source Voltage:-10 V, +22 V
Typical Turn-On Delay Time:18 ns
Typical Turn-Off Delay Time:14 ns
Id - Continuous Drain Current:58 A
Maximum Operating Temperature:+175 C
Minimum Operating Temperature:-55 C
Forward Transconductance - Min:34 S
Rds On - Drain-Source Resistance:30 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage:1.2 kV
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage:4.4 V
Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity:800

Техническая документация