NVBG020N120SC1,Silicon Carbide MOSFET, EliteSiC, Single, N Channel, 98 A, 1.2 kV, 0.02 ohm, TO-263 (D2PAK)
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8003076047
- Артикул
- NVBG020N120SC1
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 7
- Вес, г
- 0.024
- Channel Mode
- Enhancement
- Channel Type
- N
Цена по запросу
(от 9 330 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
В одноканальном МОП-транзисторе на основе карбида кремния (SiC) On Semiconductor используется совершенно новая теxнология, которая обеспечивает превосxодные xарактеристики коммутации и более высокую надежность по сравнению с кремниевыми.
Технические параметры
| Pin Count | 7 |
| Вес, г | 0.024 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Transistor Material | SiC |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 1200 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.028 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 98 A |