Моя заявка (0)

NVBG020N090SC1, 900V 112A 16mOhm@18V,60A 477W N Channel D2PAK-7L MOSFETs ROHS

NVBG020N090SC1, 900V 112A 16mOhm@18V,60A 477W N Channel D2PAK-7L MOSFETs ROHS

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8062029882
Артикул
NVBG020N090SC1
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
2.18
Channel Type
N Channel
Power Dissipation
477Вт
Power Dissipation (Pd)
3.7W;477W
Цена по запросу
(от 5 740 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Вес, г2.18
Channel TypeN Channel
Power Dissipation477Вт
Power Dissipation (Pd)3.7W;477W
Total Gate Charge (Qg@Vgs)200nC@15V
Input Capacitance (Ciss@Vds)4.415nF@450V
Continuous Drain Current (Id)9.8A;112A
Drain Source On State Resistance0.02Ом
Количество Выводов7вывод(-ов)
Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds)25pF@450V
Непрерывный Ток Стока112А
Рассеиваемая Мощность477Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2.6В
Напряжение Измерения Rds(on)15В
Напряжение Истока-стока Vds900В
Стиль Корпуса ТранзистораTO-263(D2PAK)
Конфигурация МОП-транзистораSingle
Максимальная Рабочая Температура175°C
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.02Ом

Техническая документация