N-Channel MOSFET, 20 A, 650 V, 3-Pin D2PAK NVB190N65S3F
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014523397
- Артикул
- NVB190N65S3F
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 9.65mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Серия
- SuperFET3
Цена по запросу
(от 711 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET SUPERFET III − это совершенно новое семейство высоковольтныx МОП−транзисторов super−junction (SJ) от Semiconductor, в котором используется теxнология балансировки заряда, обеспечивающая выдающееся низкое сопротивление на вxоде и более низкую производительность заряда затвора.
Технические параметры
| Width | 9.65mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Серия | SuperFET3 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | D2PAK(TO-263) |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 162Вт |
| Структура | N-Channel |
| Automotive Standard | AEC-Q101 |
| Технология | Si |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Время спада | 3 ns |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Transistor Configuration | Single |
| Квалификация | AEC-Q101 |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Maximum Power Dissipation | 162 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 34 @ 10 V nC |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-263-3 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Qg - заряд затвора | 34 nC |
| Maximum Drain Source Resistance | 190 mΩ |
| Время нарастания | 13 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.158Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Линейка Продукции | SUPERFET III |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 20А |
| Рассеиваемая Мощность | 162Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Pd - рассеивание мощности | 162 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 20 A |
| Коммерческое обозначение | SuperFET III |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-263(D2PAK) |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 190 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 43 ns |
| Типичное время задержки при включении | 19 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 5 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Стандарты Автомобильной Промышленности | AEC-Q101 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.158Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 162 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |