NTZD3155CT2G, Транзистор: N/P-MOSFET; 20/-20В; 390/-310мА; 250мВт; SOT563-6
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017546402
- Артикул
- NTZD3155CT2G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Brand
- ON Semiconductor
- Width
- 1.2 mm
- Height
- 0.55 mm
Цена по запросу
(от 15,26 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МАЛОСИГНАЛЬНЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР, 0,54А I(D), 20 В, 2-ЭЛЕМЕНТНЫЙ, N- И P-КАНАЛЬНЫЙ, КРЕМНИЕВЫЙ, МЕТАЛЛ-ОКСИДНЫЙ ПОЛУПРОВОДНИКОВЫЙ ПОЛЕВОЙ ТРАНЗИСТОР
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 1.2 mm |
| Height | 0.55 mm |
| Length | 1.6 mm |
| Series | NTZD3155C |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Fall Time | 8 ns, 19 ns |
| Packaging | Reel |
| Rise Time | 4 ns, 12 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.02 |
| Unit Weight | 0.000289 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Configuration | N-Channel, P-Channel |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-563-6 |
| Transistor Type | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Qg - Gate Charge | 1.5 nC, 1.7 nC |
| Number of Channels | 2 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | N-Channel, P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 4000 |
| Pd - Power Dissipation | 250 mW |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 6 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 6 ns, 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 16 ns, 35 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 540 mA, -430 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 1 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 1 Ohms |
| Количество Выводов | 6вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage | 1 V |
| Непрерывный Ток Стока | 540мА |
| Рассеиваемая Мощность | 250мВт |
| Полярность Транзистора | Дополнительные каналы N и P |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-563 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.4Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.31 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |