NTZD3155CT1G, SOT-563 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015850236
- Артикул
- NTZD3155CT1G
- Бренд
- TECH PUBLIC
- Brand
- ON Semiconductor
- Series
- NTZD3155C
- Product
- MOSFET Small Signal
- Fall Time
- 4 ns, 12 ns
Цена по запросу
(от 18,97 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand | ON Semiconductor |
| Series | NTZD3155C |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Fall Time | 4 ns, 12 ns |
| Packaging | Cut Tape or Reel |
| Rise Time | 4 ns, 12 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.03 |
| Subcategory | MOSFETs |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Product Type | MOSFET |
| Configuration | Dual |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-563-6 |
| Transistor Type | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number Of Channels | 2 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Polarity | N-Channel, P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 4000 |
| Pd - Power Dissipation | 250 mW |
| Особенности | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 6 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 6 ns, 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 16 ns, 35 ns |
| Id - Continuous Drain Current | 540 mA |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 550 mOhms, 900 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |