NTZD3154NT1G, Транзистор N-МОП x2, полевой, 20В, 540мА, 250мВт, SOT563
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017538250
- Артикул
- NTZD3154NT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 1.3mm
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 0.05
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 15,62 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор N-МОП x2, полевой, 20В, 540мА, 250мВт, SOT563
Технические параметры
| Width | 1.3mm |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 0.05 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | SOT-563 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-МОП |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Maximum Power Dissipation | 250 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.5 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±7 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.45V |
| Maximum Drain Source Resistance | 900 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 540 mA |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.54 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |