NTZD3152PT1G, MOSFETs -20V -430mA Dual P-Channel
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375634
- Артикул
- NTZD3152PT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 1.3mm
- Pin Count
- 6
- Вес, г
- 8
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 27,47 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Сборка из полевых транзисторов, 2P-канальный, 20 В, 430 мА, 0.28Вт
Технические параметры
| Width | 1.3mm |
| Pin Count | 6 |
| Вес, г | 8 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-563 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | полевая сборка |
| Transistor Configuration | Isolated |
| Maximum Power Dissipation | 280 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 1.7 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -6 V, +6 V |
| Number of Elements per Chip | 2 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Maximum Drain Source Resistance | 2 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 430 mA |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.43 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |