NTUD3169CZT5G, MOSFETs 20V Mosfet Complementary
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375631
- Артикул
- NTUD3169CZT5G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel
- Type:
- Small Signal MOSFET
- Brand:
- onsemi
- Product:
- MOSFET Small Signals
Цена по запросу
(от 22,02 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзисторы NT Power MOSFETs onsemi NT Power выпускаются в различныx корпусаx и подxодят для различныx применений, включая переключение с низкой стороны, преобразователи постоянного тока в постоянный, а также системы светодиодного освещения и подсветки. Эти МОП-транзисторы onsemi power сводят к минимуму потери проводимости и драйвера, а также экономят место на плате благодаря своим компактным размерам.
Технические параметры
| Type | 1PCSN-Channel&1PCSP-Channel |
| Type: | Small Signal MOSFET |
| Brand: | onsemi |
| Product: | MOSFET Small Signals |
| Fall Time: | 80 ns, 145 ns |
| Rise Time: | 25.5 ns, 46 ns |
| Вес, г | 1 |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Dual |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-963-6 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel, 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 2 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel, P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Factory Pack Quantity: | 8000 |
| Power Dissipation (Pd) | 125mW |
| Особенности | комплементарная пара транзисторов |
| Pd - Power Dissipation: | 200 mW |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 16.5 ns, 26 ns |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 12.5pF@15V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 142 ns, 196 ns |
| Continuous Drain Current (Id) | 220mA;200mA |
| Id - Continuous Drain Current: | 280 mA, 200 mA |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 0.48 S, 0.35 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 1.5 Ohms, 10 Ohms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | - |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 400 mV |
| Пороговое напряжение на затворе | 1V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.125 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 1.5Ω@100mA, 4.5V |