N-Channel MOSFET, 68 A, 80 V, 8-Pin WDFN NTTFS6H850NTAG
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8023899689
- Артикул
- NTTFS6H850NTAG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 3.15mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 126,85 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Промышленный силовой МОП-транзистор в корпусе с плоским выводом размером 3x3 мм, разработанный для компактной и эффективной конструкции и обладающий высокими тепловыми xарактеристиками.
Технические параметры
| Width | 3.15mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | WDFN |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.2V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 107 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 3.6 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 80 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 9.5 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 68 A |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 80 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 68 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |