NTTFS5C670NLTAG, MOSFETs T6 60V NCH LL IN U8FL
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006220001
- Артикул
- NTTFS5C670NLTAG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Series
- -
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
Цена по запросу
(от 263,36 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 onsemi N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Series | - |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Fall Time: | 4 ns |
| Rise Time: | 60 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.03 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | WDFN-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 20 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 6.5 mOhm @ 35A, 10V |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 63 W |
| Power Dissipation (Max) | 3.2W(Ta), 63W(Tc) |
| Supplier Device Package | 8-WDFN(3.3x3.3) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 20nC @ 10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 15 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 60V |
| Id - Continuous Drain Current: | 70 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 82 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 9.1 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 1400pF @ 25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 60 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 16A(Ta), 70A(Tc) |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 60 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |