NTTFS5C453NLTAG, DFN-5(3x3) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8073716470
- Артикул
- NTTFS5C453NLTAG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Series
- -
- FET Type
- N-Channel
- Packaging
- Cut Tape(CT)
Цена по запросу
(от 117,11 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-канальный, 40 В, 107 А, WDFN-8; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id:107 А; Напряжение источника стока Vds: 40 В; Сопротивление Rds(включено): 0,0025 Ом; Испытательное напряжение Rds (включено) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs: 2 В; Рассеиваемая мощность Pd: 68 Вт; Тип корпуса транзистора: WDFN; Количество контактов: 8; Максимальная рабочая температура: 175°C; Ассортимент продукции: -; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL: MSL 1 - неограниченный; SVHC:Ведущий (27 июня 2018 г.)
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Series | - |
| FET Type | N-Channel |
| Packaging | Cut Tape(CT) |
| Vgs (Max) | В±20V |
| Fall Time: | 5 ns |
| Rise Time: | 110 ns |
| Technology | MOSFET(Metal Oxide) |
| Вес, г | 0.09 |
| FET Feature | - |
| Part Status | Active |
| Technology: | Si |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Subcategory: | Transistors |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Package/Case: | WDFN-8 |
| Product Type: | MOSFETs |
| Configuration: | Single |
| Package / Case | 8-PowerWDFN |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFETs |
| Qg - Gate Charge: | 35 nC |
| Vgs(th) (Max) @ Id | 2V @ 250ВµA |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Operating Temperature | -55В°C ~ 175В°C(TJ) |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Rds On (Max) @ Id, Vgs | 3 mOhm @ 40A, 10V |
| Pd - Power Dissipation: | 68 W |
| Power Dissipation (Max) | 3.3W(Ta), 68W(Tc) |
| Supplier Device Package | 8-WDFN(3.3x3.3) |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 11 ns |
| Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 35nC @ 10V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 21 ns |
| Drain to Source Voltage (Vdss) | 40V |
| Id - Continuous Drain Current: | 107 A |
| Maximum Operating Temperature: | +175 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 120 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.8 mOhms |
| Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds | 2100pF @ 25V |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 40 V |
| Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) | 4.5V, 10V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Current - Continuous Drain (Id) @ 25В°C | 23A(Ta), 107A(Tc) |