NTTFS5116PLTAG, Транзистор: P-MOSFET; полевой; -60В; -14А; 20Вт; WDFN8
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8026570549
- Артикул
- NTTFS5116PLTAG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 3.15mm
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 0.09
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 54,54 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Width | 3.15mm |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.09 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | WDFN |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 40 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 14 nC @ 4.5 V, 25 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -20 V, +20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 60 V |
| Maximum Operating Temperature | +175 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 72 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 20 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 3V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 14 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 20 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |