NTTFS4C13NTAG, MOSFETs Pwr MOSFET 30V 38A 9.4mOhm SGL N-CH
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375612
- Артикул
- NTTFS4C13NTAG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 27
- Channel Type
- N Channel
- Power Dissipation
- 21.5Вт
- Структура
- N-Channel
Цена по запросу
(от 74,30 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Вес, г | 27 |
| Channel Type | N Channel |
| Power Dissipation | 21.5Вт |
| Структура | N-Channel |
| Особенности | - |
| Drain Source On State Resistance | 0.0075Ом |
| Количество Выводов | 5вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 38А |
| Рассеиваемая Мощность | 21.5Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.1В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | WDFN |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 30 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0075Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 38 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 9.4мОм |