NTTFS4C08NTAG, WDFN-8 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8059625103
- Артикул
- NTTFS4C08NTAG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.1
- Серия
- NTTFS4C08N
- Упаковка
- Reel, Cut Tape
- Технология
- Si
Цена по запросу
(от 47,87 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Pwr МОП-транзистор 30V 52A 5.9mOhm SGL N-CH
Технические параметры
| Вес, г | 0.1 |
| Серия | NTTFS4C08N |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | WDFN-8 |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Qg - заряд затвора | 35 nC |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Pd - рассеивание мощности | 4.2 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 52 A |
| Размер фабричной упаковки | 1500 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 20 V, + 20 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 5.9 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 30 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 1.3 V |