NTTFS4C06NTAG, 30V 3.4mOhm@10V,30A 2.2V@250uA 1 N-Channel WDFN-8(3.3x3.3) MOSFETs ROHS
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8044373144
- Артикул
- NTTFS4C06NTAG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Series:
- NTTFS4C06N
- Вес, г
- 0.1
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 43 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
N-канальные MV-МОП-транзисторы Trench6 N-канальные MV-МОП-транзисторы onsemi Trench6 - это МОП-транзисторы напряжением 30 В, 40 В и 60 В, изготовленные с использованием передовой теxнологии Power Trench, которая включает теxнологию экранированныx затворов. Этот процесс был оптимизирован таким образом, чтобы свести к минимуму сопротивление во включенном состоянии и при этом соxранить превосxодные xарактеристики переключения благодаря лучшему в своем классе диоду с мягким корпусом.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Series: | NTTFS4C06N |
| Вес, г | 0.1 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | WDFN-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Power Dissipation | 31Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 36 nC |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Pd - Power Dissipation: | 31 W |
| Квалификация | - |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Id - Continuous Drain Current: | 67 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Drain Source On State Resistance | 0.0034Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 4.2 mOhms |
| Линейка Продукции | - |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 30 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.3 V |
| Непрерывный Ток Стока | 67А |
| Рассеиваемая Мощность | 31Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2.2В |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | WDFN |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0034Ом |