NTTFS4C02NTAG, WDFN-5(3.3x3.3) MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017637427
- Артикул
- NTTFS4C02NTAG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- Power MOSFET
- Width
- 3.15mm
- Series
- NTTFS4C02N
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 50,38 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET, N-канальный, 30 В, 170 А, WDFN-8; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 170 А; Напряжение источника стока Vds: 30 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,019 Ом; Тестовое напряжение Rds(on) Vgs:10 В; Пороговое напряжение Vgs:1,6 В; Рассеиваемая мощность Pd: 91 Вт; Тип корпуса транзистора: WDFN; Количество контактов: 8; Максимальная рабочая температура: 150°C; Ассортимент продукции:-; Автомобильный квалификационный стандарт:-; MSL: MSL 1 - неограниченный; SVHC:Ведущий (27 июня 2018 г.)
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Width | 3.15mm |
| Series | NTTFS4C02N |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | N |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | WDFN |
| Rad Hardened | No |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 4.2(W) |
| Структура | MOSFET |
| Drain-Source On-Volt | 30(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Forward Diode Voltage | 1.1V |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current | 36(A) |
| Transistor Configuration | Single |
| Gate-Source Voltage (Max) | ±20(V) |
| Maximum Power Dissipation | 4.2 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 20 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±20 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2.2V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 1.3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 3.1 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 29 A |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |