Моя заявка (0)
NTTFS4941NTAG, Trans MOSFET N-CH 30V 13.5A 8-Pin WDFN EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001708074
Артикул
NTTFS4941NTAG
Бренд
ON Semiconductor***
PPAP
No
SVHC
Yes
Mounting
Surface Mount
Packaging
Tape and Reel
Цена по запросу
(от 217 ₽)
Минимальный заказ: 350 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Транзистор MOSFET N-CH 30 В 13,5 А с 8-контактным разъемом WDFN EP T/R

Технические параметры

PPAPNo
SVHCYes
MountingSurface Mount
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Lead ShapeNo Lead
Вес, г1
PCB changed8
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Package Width3.05 mm
Package Length3.05 mm
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageWDFN EP
Maximum IDSS (uA)1
СтруктураN-Channel
Standard Package NameDFN
SVHC Exceeds ThresholdYes
Typical Fall Time (ns)3
Typical Rise Time (ns)21
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)4420
Typical Gate Charge @ 10V (nC)22.8
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)10.1@4.5V|22.8@10V
Maximum Gate-Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)11
Maximum Drain-Source Voltage (V)30
Typical Turn-Off Delay Time (ns)19
Maximum Gate Threshold Voltage (V)2.2
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)13.5
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1619@15V
Maximum Drain-Source Resistance (mOhm)6.2@10V
Maximum Gate-Source Leakage Current (nA)100
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А13.5
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация