Моя заявка (0)
NTTFS4939NTAG, Trans MOSFET N-CH 30V 14.3A 8-Pin WDFN EP T/R

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001031676
Артикул
NTTFS4939NTAG
Бренд
ON Semiconductor***
HTS
8541.29.00.95
EU RoHS
Compliant with Exemption
Military
No
Mounting
Surface Mount
Цена по запросу
(от 160 ₽)
Минимальный заказ: 200 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

HTS8541.29.00.95
EU RoHSCompliant with Exemption
MilitaryNo
MountingSurface Mount
ECCN (US)EAR99
PackagingTape and Reel
Pin Count8
AutomotiveNo
Lead ShapeNo Lead
Вес, г1
PCB changed8
Part StatusActive
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
ConfigurationSingle Quad Drain Triple Source
Package Width3.05
Package Height0.75(Max)
Package Length3.05
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageWDFN EP
СтруктураN-Channel
Standard Package NameDFN
Typical Fall Time (ns)3.9
Typical Rise Time (ns)20.6
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)4480
Typical Gate Charge @ 10V (nC)28
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)12.4@4.5V|28@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)12.2
Maximum Drain Source Voltage (V)30
Typical Turn-Off Delay Time (ns)20.8
Maximum Operating Temperature (°C)150
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)14.3
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)1979@15V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)5.5@10V
Пороговое напряжение на затворе-20 V, +20 V
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А14.3
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт33
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±12В

Техническая документация