Моя заявка (0)

NTTF N-Channel MOSFET Transistor, 150 A, 40 V, 8-Pin PQFN8 NTTFS2D1N04HLTWG

NTTF N-Channel MOSFET Transistor, 150 A, 40 V, 8-Pin PQFN8 NTTFS2D1N04HLTWG

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8014533535
Артикул
NTTFS2D1N04HLTWG
Бренд
ON Semiconductor***
Series
NTTF
Pin Count
8
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 207 ₽)
Минимальный заказ: 25 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Одноканальный МОП-транзистор ON Semiconductor работает на 40 вольтаx и 150 ампераx. Его можно использовать в понижающиx преобразователяx постоянного тока, точечныx нагрузкаx, высокоэффективныx переключателяx нагрузки и переключателяx низкого напряжения, полевом транзисторе oring.

Технические параметры

SeriesNTTF
Pin Count8
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypePQFN8
Mounting TypeSurface Mount
УпаковкаReel, Cut Tape
Power Dissipation83Вт
СтруктураN-Channel
ТехнологияSi
Вид монтажаSMD/SMT
Особенности-
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Упаковка / блокWDFN-8
Maximum Drain Source Voltage40 V
Maximum Gate Threshold Voltage2V
Maximum Drain Source Resistance0.0021 Ω
Drain Source On State Resistance0.0017Ом
Maximum Continuous Drain Current150 A
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока150А
Рассеиваемая Мощность83Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs2В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds40В
Размер фабричной упаковки3000
Стиль Корпуса ТранзистораPQFN
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В40
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0017Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А150
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт83
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0017 Ом

Техническая документация