NTTFS1D8N02P1E, Power MOSFET, N Channel, 25 V, 150 A, 0.00105 ohm, PQFN, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8004293141
- Артикул
- NTTFS1D8N02P1E
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- Power
- Pin Count
- 8
- Вес, г
- 3.4
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 454 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор FET 25V 1.8 MOHM PC33 SINGLE
Технические параметры
| Series | Power |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 3.4 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | PQFN8 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Упаковка | Reel, Cut Tape |
| Power Dissipation | 46Вт |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | SMD/SMT |
| Особенности | - |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | PQFN-8 |
| Maximum Drain Source Voltage | 25 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 1.3 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.00105Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 150 A |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 150А |
| Рассеиваемая Мощность | 46Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 2В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 25В |
| Размер фабричной упаковки | 3000 |
| Стиль Корпуса Транзистора | PQFN |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 25 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.00105Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 150 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 46 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.00105 Ом |