NTTFS010N10MCLTAG, MOSFETs PTNG 100V LL IN
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8005375595
- Артикул
- NTTFS010N10MCLTAG
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 5 ns
- Rise Time:
- 3 ns
- Technology:
- Si
Цена по запросу
(от 199,94 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 5 ns |
| Rise Time: | 3 ns |
| Technology: | Si |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Вес, кг | 4.83 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | WDFN-8 |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 22 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Factory Pack Quantity: | 1500 |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 52 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -20 V, +20 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 9 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 28 ns |
| Id - Continuous Drain Current: | 50 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 54 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 10.6 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 100 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Пороговое напряжение на затворе | -20 V, +20 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 100 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |