NTTFS008P03P8Z, МОП-Транзистор WDFN-8(3,3x3,3) МОП-Транзистор
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017646201
- Артикул
- NTTFS008P03P8Z
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type
- Power MOSFET
- Series
- NTTF
- Mounting
- Surface Mount
- Polarity
- P
Цена по запросу
(от 777 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Одноканальный МОП-транзистор ON Semiconductor работает при напряжении -30 вольт и силе тока -96 ампер. Его можно использовать для коммутации нагрузки, защиты от обратного тока, перенапряжения и обратного отрицательного напряжения, а также для управления батареями.
Технические параметры
| Type | Power MOSFET |
| Series | NTTF |
| Mounting | Surface Mount |
| Polarity | P |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 8 |
| Вес, г | 0.02 |
| Channel Mode | Depletion |
| Channel Type | P |
| Package Type | PQFN8 |
| Rad Hardened | No |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 50Вт |
| Number of Elements | 1 |
| Структура | МОП-транзистор |
| Drain-Source On-Volt | 30(V) |
| Operating Temp Range | -55C to 150C |
| Особенности | - |
| Continuous Drain Current | 22(A) |
| Gate-Source Voltage (Max) | '±25(V) |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.0038 Ω |
| Drain Source On State Resistance | 0.0025Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 96 A |
| Количество Выводов | 8вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Operating Temperature Classification | Military |
| Непрерывный Ток Стока | 96А |
| Рассеиваемая Мощность | 50Вт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 30В |
| Стиль Корпуса Транзистора | PQFN |
| Пороговое напряжение на затворе | 900mV@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.0025Ом |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 50 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |