Моя заявка (0)

NTTFS008P03P8Z, Power MOSFET, P Channel, 30 V, 96 A, 0.0025 ohm, PQFN, Surface Mount

NTTFS008P03P8Z, Power MOSFET, P Channel, 30 V, 96 A, 0.0025 ohm, PQFN, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8004293041
Артикул
NTTFS008P03P8Z
Бренд
ON Semiconductor***
Type
Power MOSFET
Series
NTTF
Mounting
Surface Mount
Polarity
P
Цена по запросу
(от 311 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Одноканальный МОП-транзистор ON Semiconductor работает при напряжении -30 вольт и силе тока -96 ампер. Его можно использовать для коммутации нагрузки, защиты от обратного тока, перенапряжения и обратного отрицательного напряжения, а также для управления батареями.

Технические параметры

TypePower MOSFET
SeriesNTTF
MountingSurface Mount
PolarityP
PackagingTape and Reel
Pin Count8
Вес, г0.024
Channel ModeDepletion
Channel TypeP Channel
Package TypePQFN8
Rad HardenedNo
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation50Вт
Number of Elements1
СтруктураP-Channel
Drain-Source On-Volt30(V)
Operating Temp Range-55C to 150C
Особенности-
Continuous Drain Current22(A)
Gate-Source Voltage (Max)'±25(V)
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Gate Threshold Voltage3V
Maximum Drain Source Resistance0.0038 Ω
Drain Source On State Resistance0.0025Ом
Maximum Continuous Drain Current96 A
Количество Выводов8вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Operating Temperature ClassificationMilitary
Непрерывный Ток Стока96А
Рассеиваемая Мощность50Вт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораPQFN
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.0025Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А96
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт50
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)0.0025 Ом

Техническая документация