NTS4101PT1G,Power MOSFET, P Channel, 20 V, 1.37 A, 0.12 ohm, SOT-323, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8301342372
- Артикул
- NTS4101PT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- PPAP
- No
- Width
- 1.35mm
- EU RoHS
- Compliant
- Mounting
- Surface Mount
Цена по запросу
(от 37 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Транзистор полевой P-канальный 20В 1.37A
Технические параметры
| PPAP | No |
| Width | 1.35mm |
| EU RoHS | Compliant |
| Mounting | Surface Mount |
| ECCN (US) | EAR99 |
| Packaging | Tape and Reel |
| Pin Count | 3 |
| Automotive | No |
| Lead Shape | Gull-wing |
| Вес, г | 0.005 |
| PCB changed | 3 |
| Part Status | Active |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-323 |
| Корпус | sot-323 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Category | Power MOSFET |
| Supplier Package | SC-70 |
| Process Technology | TMOS |
| Структура | P-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Standard Package Name | SOT |
| Typical Fall Time (ns) | 18 |
| Typical Rise Time (ns) | 14.9 |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 329 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 6.4 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.5V |
| Maximum Power Dissipation (mW) | 329 |
| Typical Gate Charge @ Vgs (nC) | 6.4@4.5V |
| Maximum Drain Source Resistance | 160 mΩ |
| Maximum Gate Source Voltage (V) | ±8 |
| Typical Turn-On Delay Time (ns) | 6.2 |
| Maximum Continuous Drain Current | 1.37 A |
| Maximum Drain Source Voltage (V) | 20 |
| Typical Turn-Off Delay Time (ns) | 26 |
| Maximum Operating Temperature (°C) | 150 |
| Minimum Operating Temperature (°C) | -55 |
| Maximum Continuous Drain Current (A) | 1.37 |
| Typical Input Capacitance @ Vds (pF) | 603@20V |
| Maximum Drain Source Resistance (mOhm) | 120@4.5V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.37 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.329 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.12 Ом |