NTS2101PT1G-VB, 20V 3.1A 80m-@4.5V,1.4A 500mW 1.5V@250uA 44pF@10V P Channel 272pF@10V 2.7nC@2.5V -55-~+150-@(Tj) SC-70-3 MOSFETs
нет фото
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8015858244
- Артикул
- NTS2101PT1G-VB
- Бренд
- Vbsemi Electronics Co., Ltd.
- Type
- P Channel
- Вес, г
- 0.05
- Структура
- P-Channel
- Operating Temperature
- -55℃~+150℃@(Tj)
Цена по запросу
(от 26 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
20 В 3,1 А 80mOhm@4.5V, 1,4А 500 МВт 1.5V@250uA P-канальные МОП-транзисторы SC-70-3 ROHS
Технические параметры
| Type | P Channel |
| Вес, г | 0.05 |
| Структура | P-Channel |
| Operating Temperature | -55℃~+150℃@(Tj) |
| Power Dissipation (Pd) | 500mW |
| Особенности | - |
| Total Gate Charge (Qg@Vgs) | 2.7nC@2.5V |
| Input Capacitance (Ciss@Vds) | 272pF@10V |
| Continuous Drain Current (Id) | 3.1A |
| Reverse Transfer Capacitance (Crss@Vds) | 44pF@10V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1.5V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.1 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.5 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±10В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 80mΩ@4.5V, 1.4A |