Моя заявка (0)

NTS2101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; -8В; -1,1А; 290мВт; SC70,SOT323

NTS2101PT1G, Транзистор: P-MOSFET; -8В; -1,1А; 290мВт; SC70,SOT323

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8048675316
Артикул
NTS2101PT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Width
1.35mm
Pin Count
3
Вес, г
0.1
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 170 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

Width1.35mm
Pin Count3
Вес, г0.1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
Package TypeSOT-323
Mounting TypeSurface Mount
Transistor MaterialSi
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation330 mW
Typical Gate Charge @ Vgs6.4 nC @ 5 V
Maximum Gate Source Voltage-8 V, +8 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage8 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Minimum Gate Threshold Voltage0.45V
Maximum Drain Source Resistance210 mΩ
Maximum Continuous Drain Current1.5 A

Техническая документация