NTR5105PT1G, Транзистор: P-MOSFET; -60В; -141мА; 347мВт; SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017546397
- Артикул
- NTR5105PT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Вес, г
- 0.05
- Channel Type
- P Channel
- Корпус
- sot23
- Power Dissipation
- 347мВт
Цена по запросу
(от 15 ₽)
Минимальный заказ: 10 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET; -60В; -141мА; 347мВт; SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Вес, г | 0.05 |
| Channel Type | P Channel |
| Корпус | sot23 |
| Power Dissipation | 347мВт |
| Структура | MOSFET |
| Особенности | - |
| Квалификация | - |
| Drain Source On State Resistance | 1.6Ом |
| Линейка Продукции | - |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 196мА |
| Рассеиваемая Мощность | 347мВт |
| Полярность Транзистора | P Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 60В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 1.6Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 0.141 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.347 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |