Моя заявка (0)

NTR5105PT1G, Power MOSFET, P Channel, 60 V, 196 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Surface Mount

NTR5105PT1G, Power MOSFET, P Channel, 60 V, 196 mA, 1.6 ohm, SOT-23, Surface Mount

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8000220891
Артикул
NTR5105PT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
0.05
Channel Type
P Channel
Корпус
SOT-23
Power Dissipation
347мВт
Цена по запросу
(от 35 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: P-MOSFET; -60В; -141мА; 347мВт; SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Вес, г0.05
Channel TypeP Channel
КорпусSOT-23
Power Dissipation347мВт
СтруктураP-Channel
Особенности-
Квалификация-
Drain Source On State Resistance1.6Ом
Линейка Продукции-
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока196мА
Рассеиваемая Мощность347мВт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs3В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds60В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)1.6Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.196
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)1.6 Ом

Техническая документация