Моя заявка (0)

NTR4502PT1G, Транзистор P-МОП, полевой, -30В, -1,56А, 1,25Вт, SOT23-3

NTR4502PT1G, Транзистор P-МОП, полевой, -30В, -1,56А, 1,25Вт, SOT23-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017536799
Артикул
NTR4502PT1G
Бренд
ON Semiconductor***
RoHS
No
Type
MOSFET
Width
1.3mm
Product
General Purpose MOSFETs
Цена по запросу
(от 17,33 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET, P, 30 В, SOT-23; Полярность транзистора: Канал P; Постоянный ток стока Id: 1,95 А; Напряжение источника стока Vds: -30 В; Сопротивление включения Rds(on): 0,2 Ом; Испытательное напряжение Rds(on) Vgs: -10 В; Пороговое напряжение Vgs:-3 В; Дисси власти

Технические параметры

RoHSNo
TypeMOSFET
Width1.3mm
ProductGeneral Purpose MOSFETs
PackagingReel
Pin Count3
Вес, г0.05
Channel ModeEnhancement
Channel TypeP
ManufacturerON Semiconductor
Package TypeSOT-23
КорпусSOT23-3
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Package / CaseSOT-23
Product CategoryMOSFETs
Power Dissipation400 mW
Typical Fall Time17.5 ns
Typical Rise Time12 ns
СтруктураP-МОП
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityP-Channel
Особенности-
Continuous Drain Current1.95 A
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation1.25 W
Typical Gate Charge @ Vgs6 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-Off Delay Time19 ns
Maximum Drain Source Voltage30 V
Gate-Source Breakdown Voltage-20 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Drain-Source Breakdown Voltage30 V
Maximum Gate Threshold Voltage3V
Maximum Drain Source Resistance350 mΩ
Maximum Continuous Drain Current1.9 A
Resistance Drain-Source RDS (on)0.2 Ohm @ 10 V
Forward Transconductance gFS (Max / Min)3 S
Пороговое напряжение на затворе-0.4…-1 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В1.25
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.56
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт1.25
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация