NTR4501NT1G, Транзистор N-MOSFET, полевой, 20В, 3,2А, 1,25Вт, SOT23
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8043844057
- Артикул
- NTR4501NT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Type
- MOSFET
- Brand
- ON Semiconductor
- Width
- 1.3 mm
Цена по запросу
(от 16,01 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
NFET SOT23 20V 3.2A 80MO; Полярность транзистора: N-канальный; Постоянный ток стока Id: 3,2 А; Напряжение источника стока Vds: 20 В; Сопротивление включения Rds (вкл.): 0,08 Ом; Тестовое напряжение Rds (вкл.) Vgs: 4,5 В; Пороговое напряжение Vgs: 1,2 В; Отключение питания
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | MOSFET |
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 1.3 mm |
| Height | 0.94 mm |
| Length | 2.9 mm |
| Series | NTR4501 |
| Product | MOSFET Small Signal |
| Fall Time | 12 ns |
| Packaging | Reel |
| Pin Count | 3 |
| Rise Time | 12 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 0.05 |
| Unit Weight | 0.050717 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | sot23 |
| Configuration | Single |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Mounting Style | SMD/SMT |
| Package / Case | SOT-23-3 |
| Transistor Type | 1 N-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity | N-Channel |
| Factory Pack Quantity | 3000 |
| Pd - Power Dissipation | 1.25 W |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 2.4 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 12 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 6.5 ns |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-Off Delay Time | 12 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Id - Continuous Drain Current | 3.2 A |
| Maximum Operating Temperature | +150 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 9 S |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Drain Source Resistance | 80 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.2 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 85 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | 20 V |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.2 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |