NTR4171PT1G, Транзистор P-МОП, полевой, -30В, -1,5А, 1,25Вт, SOT23-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8021863717
- Артикул
- NTR4171PT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 1.4mm
- Вид
- MOSFET
- Тип
- полевой
- Pin Count
- 3
Цена по запросу
(от 60 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор P-МОП, полевой, -30В, -1,5А, 1,25Вт, SOT23-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Width | 1.4mm |
| Вид | MOSFET |
| Тип | полевой |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.04 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT23-3 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Структура | P-МОП |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 1.25 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 15.6 nC @ 10 V, 7.4 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -12 V, +12 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 30 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 150 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.5 A |
| Пороговое напряжение на затворе | -0.4…-1 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 1.25 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.5 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 1.25 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |