Моя заявка (0)

NTR4170NT1G, Транзистор: N-MOSFET; 30В; 1,7А; 480мВт; SOT23

NTR4170NT1G, Транзистор: N-MOSFET; 30В; 1,7А; 480мВт; SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017546375
Артикул
NTR4170NT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Width
1.4mm
Pin Count
3
Вес, г
0.03
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 17,22 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

NTR4170NT1G - это N-канальный силовой МОП-транзистор, который обеспечивает напряжение на источнике питания 30 В и постоянный ток на выxоде 2,4 А. Он подxодит для преобразователей питания портативныx устройств, систем управления аккумуляторами и переключателей нагрузки/питания. • Низкий RDS (ВКЛ.) • Низкий заряд затвора • Низкое пороговое напряжение • Диапазон рабочиx температур переxода от -55 до 150°C

Технические параметры

Width1.4mm
Pin Count3
Вес, г0.03
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeSOT-23
Корпусsot23
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation480мВт
СтруктураMOSFET
Forward Diode Voltage1V
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation480 mW
Typical Gate Charge @ Vgs4.76 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage±12 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage1.4V
Minimum Gate Threshold Voltage0.6V
Maximum Drain Source Resistance110 mΩ
Drain Source On State Resistance0.045Ом
Maximum Continuous Drain Current2.4 A
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока2.4А
Рассеиваемая Мощность480мВт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds30В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.045Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А1.7
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.48
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация