NTR4101PT1G, Транзистор: P-MOSFET, полевой, -20В, -1,7А, 0,21Вт, SOT23-3
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8048279978
- Артикул
- NTR4101PT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Type:
- MOSFET
- Width
- 1.3mm
- Brand:
- onsemi
- Series:
- NTR4101P
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор полевой NTR4101PT1G от ONSEMI представляет собой высококачественный N-MOSFET компонент, предназначенный для SMD монтажа. Этот транзистор характеризуется током стока в 3,2 А и напряжением сток-исток до 20 В, обеспечивая надежную работу в широком диапазоне применений. Сопротивление в открытом состоянии составляет всего 0,07 Ом, что гарантирует высокую эффективность и минимизацию потерь мощности. Упакованный в компактный корпус SOT23-3, NTR4101PT1G идеален для использования в многочисленных электронных схемах, где требуется компактность и надежность. Интегрируйте этот полевой транзистор NTR4101PT1G в ваш следующий проект для достижения оптимальных результатов. Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид N-MOSFET Монтаж SMD Ток стока, А 3.2 Напряжение сток-исток, В 20 Сопротивление в открытом состоянии, Ом 0.07 Корпус SOT23-3
Технические параметры
| Type: | MOSFET |
| Width | 1.3mm |
| Brand: | onsemi |
| Series: | NTR4101P |
| Product: | MOSFET Small Signal |
| Pin Count | 3 |
| Fall Time: | 21 ns |
| Rise Time: | 12.6 ns |
| Вес, г | 0.05 |
| Technology: | Si |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | P |
| Package Type | SOT-23 |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | SOT23-3 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | SMD/SMT |
| Package / Case: | SOT-23-3 |
| Transistor Type: | 1 P-Channel |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 7.5 nC |
| Структура | MOSFET |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Material | Si |
| Transistor Polarity: | P-Channel |
| Особенности | - |
| Pd - Power Dissipation: | 730 mW |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 730 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 7.5 nC @ 4.5 V |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -8 V, +8 V |
| Maximum Gate Source Voltage | -8 V, +8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Typical Turn-On Delay Time: | 7.5 ns |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 30.2 ns |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Id - Continuous Drain Current: | 2.4 A |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1.2V |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Forward Transconductance - Min: | 7.5 S |
| Maximum Drain Source Resistance | 85 mΩ |
| Maximum Continuous Drain Current | 2.4 A |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 85 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 20 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 1.2 V |
| Factory Pack Quantity: Factory Pack Quantity: | 3000 |
| Пороговое напряжение на затворе | -0.4…-1 В |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 0.21 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 1.7 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 0.21 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |