Моя заявка (0)

NTR4003NT3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,4А; 0,83Вт; SOT23

NTR4003NT3G, Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,4А; 0,83Вт; SOT23

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017545818
Артикул
NTR4003NT3G
Бренд
ON Semiconductor***
Width
1.4mm
Pin Count
3
Вес, г
0.28
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 11,24 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET; полевой; 30В; 0,4А; 0,83Вт; SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Width1.4mm
Pin Count3
Вес, г0.28
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeSOT-23
Корпусsot23
Mounting TypeSurface Mount
СтруктураMOSFET
Transistor MaterialSi
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation830 mW
Typical Gate Charge @ Vgs29 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage-20 V, +20 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage30 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage1.4V
Maximum Drain Source Resistance2 Ω
Maximum Continuous Drain Current560 mA
Пороговое напряжение на затворе1…2.5 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В30
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А0.4
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт0.83
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация