Моя заявка (0)
NTR3C21NZT1G, MOSFETs 20 V SANYO T6 NCH IN

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005526616
Артикул
NTR3C21NZT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Pin Count
3
Вес, г
1
Channel Mode
Enhancement
Channel Type
N Channel
Цена по запросу
(от 40,70 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор: N-MOSFET; 20В; 2,6А; 470мВт; SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

Pin Count3
Вес, г1
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN Channel
Package TypeSOT-23
Mounting TypeSurface Mount
Power Dissipation470мВт
СтруктураN-Channel
Forward Diode Voltage1V
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation470 mW
Typical Gate Charge @ Vgs17.8 nC @ 4.5 V
Maximum Gate Source Voltage±8 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage20 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage1V
Minimum Gate Threshold Voltage0.45V
Maximum Drain Source Resistance55 mΩ
Drain Source On State Resistance0.018Ом
Maximum Continuous Drain Current3.6 A
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока3.6А
Рассеиваемая Мощность470мВт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs1В
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds20В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Максимальная Рабочая Температура150 C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В20
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.018Ом
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация