NTR3C21NZT1G, Power MOSFET, N Channel, 20 V, 3.6 A, 0.018 ohm, SOT-23, Surface Mount
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8000220890
- Артикул
- NTR3C21NZT1G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 0.426
- Channel Mode
- Enhancement
- Channel Type
- N Channel
Цена по запросу
(от 61 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: N-MOSFET; 20В; 2,6А; 470мВт; SOT23 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 0.426 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N Channel |
| Package Type | SOT-23 |
| Корпус | SOT-23 |
| Mounting Type | Surface Mount |
| Power Dissipation | 470мВт |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1V |
| Особенности | - |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 470 mW |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 17.8 nC @ 4.5 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±8 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 20 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 1V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 0.45V |
| Maximum Drain Source Resistance | 55 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.018Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 3.6 A |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Surface Mount |
| Непрерывный Ток Стока | 3.6А |
| Рассеиваемая Мощность | 470мВт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 1В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 4.5В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 20В |
| Стиль Корпуса Транзистора | SOT-23 |
| Пороговое напряжение на затворе | 1…2.5 В |
| Максимальная Рабочая Температура | 150 C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 20 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.018Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 3.6 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±12В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.018 Ом |