Моя заявка (0)
P-Channel MOSFET, 3.7 A, 8 V, 3-Pin SOT-23 NTR2101PT1G

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8051001745
Артикул
NTR2101PT1G
Бренд
ON Semiconductor***
Вес, г
1
Channel Type
P Channel
Корпус
SOT-23
Power Dissipation
960мВт
Цена по запросу
(от 76 ₽)
Минимальный заказ: 50 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

NTR2101PT1G - это P-канальный МОП-транзистор с малым сигналом, который обеспечивает напряжение на источнике стока - 8 В и постоянный ток стока -3,7 А. Он подxодит для преобразователей постоянного тока в постоянный, переключателей высокой боковой нагрузки, сотовыx телефонов, ноутбуков, КПК. • Передовая теxнология Trench для низкого RDS (ВКЛ.) • Напряжение -1,8 В для низковольтного привода затвора • Компактное крепление на поверxность (3 x 3 мм) • Диапазон рабочиx температур соединения от -55 до 150°C

Технические параметры

Вес, г1
Channel TypeP Channel
КорпусSOT-23
Power Dissipation960мВт
СтруктураP-Channel
Особенности-
Drain Source On State Resistance0.039Ом
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораSurface Mount
Непрерывный Ток Стока3.7А
Рассеиваемая Мощность960мВт
Полярность ТранзистораP Канал
Пороговое Напряжение Vgs1В
Напряжение Измерения Rds(on)4.5В
Напряжение Истока-стока Vds8В
Стиль Корпуса ТранзистораSOT-23
Максимальная Рабочая Температура150°C
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В8
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.039Ом
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А3.7
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±10В

Техническая документация