Моя заявка (0)

NTR1P02T1G, Транзистор силовой полевой SOT-23-3

NTR1P02T1G, Транзистор силовой полевой SOT-23-3

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8017533175
Артикул
NTR1P02T1G
Бренд
ON Semiconductor***
Type
MOSFET
Brand
ON Semiconductor
Series
NTR1P02
Product
MOSFET Small Signal
Цена по запросу
(от 19,61 ₽)
Минимальный заказ: 5 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

Описание Транзистор силовой полевой SOT-23-3 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET

Технические параметры

TypeMOSFET
BrandON Semiconductor
SeriesNTR1P02
ProductMOSFET Small Signal
Fall Time3 ns
PackagingCut Tape or Reel
Pin Count3
Rise Time9 ns
TechnologySi
Вес, г0.03
SubcategoryMOSFETs
Channel ModeEnhancement
ManufacturerON Semiconductor
Package TypeSOT-23
Product TypeMOSFET
КорпусSOT-23-3
ConfigurationSingle
Mounting TypeSurface Mount
Mounting StyleSMD/SMT
Package / CaseSOT-23-3
Transistor Type1 P-Channel
Product CategoryMOSFET
Qg - Gate Charge2.5 nC
Number Of Channels1 Channel
Transistor MaterialSi
Transistor PolarityP-Channel
Factory Pack Quantity3000
Pd - Power Dissipation400 mW
Особенности-
Transistor ConfigurationSingle
Maximum Power Dissipation400 mW
Typical Gate Charge @ Vgs2.5 nC @ 5 V
Vgs - Gate-Source Voltage10 V
Typical Turn-On Delay Time7 ns
Number of Elements per Chip1
Typical Turn-Off Delay Time9 ns
Maximum Drain Source Voltage20 V
Id - Continuous Drain Current1 A
Maximum Operating Temperature+150 C
Minimum Operating Temperature-55 C
Maximum Drain Source Resistance180 mΩ
кол-во в упаковке3000
Maximum Continuous Drain Current1 A
Rds On - Drain-Source Resistance180 mOhms
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage20 V
Vgs Th - Gate-Source Threshold Voltage1.1 V
Пороговое напряжение на затворе2.3V
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В-20 V, +20 V

Техническая документация