Type N-Channel MOSFET, 40 A, 650 V Enhancement, 3-Pin TO-220 NTPF082N65S3F
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8014506525
- Артикул
- NTPF082N65S3F
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Width
- 4.9mm
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 1
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 1 290 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
MOSFET SUPERFET III − это совершенно новое семейство высоковольтныx МОП−транзисторов super−junction (SJ) от Semiconductor, в котором используется теxнология балансировки заряда, обеспечивающая выдающееся низкое сопротивление на вxоде и более низкую производительность заряда затвора.
Технические параметры
| Width | 4.9mm |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 1 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Power Dissipation | 48Вт |
| Структура | N-Channel |
| Forward Diode Voltage | 1.3V |
| Особенности | высоковольтный |
| Transistor Configuration | Single |
| Maximum Power Dissipation | 48 W |
| Typical Gate Charge @ Vgs | 70 nC @ 10 V |
| Maximum Gate Source Voltage | ±30 V |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Operating Temperature | +150 °C |
| Minimum Operating Temperature | -55 °C |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 5V |
| Minimum Gate Threshold Voltage | 3V |
| Maximum Drain Source Resistance | 82 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.07Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 40 A |
| Линейка Продукции | SUPERFET III FRFET |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 40А |
| Рассеиваемая Мощность | 48Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.07Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 40 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 48 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 0.07 Ом |