Моя заявка (0)

NTP5860NLG, Trans MOSFET N-CH 60V 220A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

NTP5860NLG, Trans MOSFET N-CH 60V 220A 3-Pin(3+Tab) TO-220AB Tube

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8001346687
Артикул
NTP5860NLG
Бренд
ON Semiconductor***
HTS
8541.29.00.95
Tab
Tab
EU RoHS
Compliant with Exemption
Military
No
Цена по запросу
(от 280 ₽)
Минимальный заказ: 110 шт.

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Технические параметры

HTS8541.29.00.95
TabTab
EU RoHSCompliant with Exemption
MilitaryNo
MountingThrough Hole
ECCN (US)EAR99
PackagingTube
Pin Count3
AutomotiveNo
Вес, г1
PCB changed3
Part StatusObsolete
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
КорпусTO-220AB
ConfigurationSingle
Package Width4.82(Max)
Package Height9.28(Max)
Package Length10.28(Max)
Product CategoryPower MOSFET
Supplier PackageTO-220AB
СтруктураN-Channel
Standard Package NameTO-220
Typical Fall Time (ns)144
Typical Rise Time (ns)58
Особенности-
Number of Elements per Chip1
Maximum Power Dissipation (mW)283000
Typical Gate Charge @ 10V (nC)220
Typical Gate Charge @ Vgs (nC)220@10V
Maximum Gate Source Voltage (V)±20
Typical Turn-On Delay Time (ns)25
Maximum Drain Source Voltage (V)60
Typical Turn-Off Delay Time (ns)98
Maximum Operating Temperature (°C)175
Minimum Operating Temperature (°C)-55
Maximum Continuous Drain Current (A)220
Typical Input Capacitance @ Vds (pF)13216@25V
Maximum Drain Source Resistance (mOhm)3@10V
Пороговое напряжение на затворе2…4 В
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В60
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А220
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт375
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В

Техническая документация