Моя заявка (0)

N-Channel MOSFET TransIstor & DIode, 13 A, 800 V, 3-PIn TO-220 onsemI NTP360N80S3Z

N-Channel MOSFET TransIstor & DIode, 13 A, 800 V, 3-PIn TO-220 onsemI NTP360N80S3Z

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8059285561
Артикул
NTP360N80S3Z
Бренд
ON Semiconductor***
Series
SUPERFET III
Pin Count
3
Вес, г
1.2
Channel Mode
Enhancement
Цена по запросу
(от 573,83 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

МОП-транзистор МОП-транзистор Power, N-Channel, SUPERFET III, 800 V, 13 A, 360 mO, TO-220 МОП-транзистор Power, N-Channel, SUPERFET III, 800 V, 360 mO, 13 A

Технические параметры

SeriesSUPERFET III
Pin Count3
Вес, г1.2
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220
Mounting TypeThrough Hole
УпаковкаTube
Power Dissipation96Вт
Transistor MaterialSi
ТехнологияSi
Тип продуктаMOSFET
ПодкатегорияMOSFETs
Number of Elements per Chip1
Торговая маркаON Semiconductor
Maximum Drain Source Voltage800 V
Maximum Gate Threshold Voltage3.8V
Maximum Drain Source Resistance360 mΩ
Drain Source On State Resistance0.3Ом
Maximum Continuous Drain Current13 A
Линейка ПродукцииSuperFET III
Категория продуктаМОП-транзистор
Количество Выводов3вывод(-ов)
Монтаж транзистораThrough Hole
Непрерывный Ток Стока13А
Рассеиваемая Мощность96Вт
Полярность ТранзистораN Канал
Пороговое Напряжение Vgs3.8В
Напряжение Измерения Rds(on)10В
Напряжение Истока-стока Vds800В
Размер фабричной упаковки800
Стиль Корпуса ТранзистораTO-220
Максимальная Рабочая Температура150°C
Уровень Чувствительности к Влажности (MSL)MSL 1-Безлимитный
Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on)0.3Ом

Техническая документация