NTP360N80S3Z, MOSFETs SF3 800V 360MOHM TO-220
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8006213218
- Артикул
- NTP360N80S3Z
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- SUPERFET III
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 260
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 415,93 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор МОП-транзистор Power, N-Channel, SUPERFET III, 800 V, 13 A, 360 mO, TO-220 МОП-транзистор Power, N-Channel, SUPERFET III, 800 V, 360 mO, 13 A
Технические параметры
| Series | SUPERFET III |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 260 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 96Вт |
| Структура | MOSFET |
| Transistor Material | Si |
| Технология | Si |
| Особенности | высоковольтный |
| Тип продукта | MOSFET |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Maximum Drain Source Voltage | 800 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 3.8V |
| Maximum Drain Source Resistance | 360 mΩ |
| Drain Source On State Resistance | 0.3Ом |
| Maximum Continuous Drain Current | 13 A |
| Линейка Продукции | SuperFET III |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Непрерывный Ток Стока | 13А |
| Рассеиваемая Мощность | 96Вт |
| Полярность Транзистора | N Канал |
| Пороговое Напряжение Vgs | 3.8В |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 800В |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальная Рабочая Температура | 150°C |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 800 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.3Ом |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 360мОм |