NTP2955G, Транзистор: P-MOSFET; -60В; -9А; 62,5Вт; TO220
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017546401
- Артикул
- NTP2955G
- Бренд
- ON Semiconductor***
- RoHS
- Details
- Type
- MOSFET
- Brand
- ON Semiconductor
- Width
- 4.83 mm
Цена по запросу
(от 82,12 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
Описание Транзистор: P-MOSFET; -60В; -9А; 62,5Вт; TO220 Характеристики Категория Транзистор Тип полевой Вид MOSFET
Технические параметры
| RoHS | Details |
| Type | MOSFET |
| Brand | ON Semiconductor |
| Width | 4.83 mm |
| Height | 15.75 mm |
| Length | 10.53 mm |
| Series | NTP2955 |
| Fall Time | 45 ns |
| Packaging | Tube |
| Rise Time | 41 ns |
| Technology | Si |
| Вес, г | 3.18 |
| Unit Weight | 0.211644 oz |
| Channel Mode | Enhancement |
| Manufacturer | ON Semiconductor |
| Configuration | Single |
| Mounting Style | Through Hole |
| Package / Case | TO-220-3 |
| Transistor Type | 1 P-Channel |
| Product Category | MOSFET |
| Number of Channels | 1 Channel |
| Transistor Polarity | P-Channel |
| Factory Pack Quantity | 50 |
| Pd - Power Dissipation | 2.4 W |
| Vgs - Gate-Source Voltage | 20 V |
| Typical Turn-On Delay Time | 10 ns |
| Typical Turn-Off Delay Time | 27 ns |
| Id - Continuous Drain Current | -12 A |
| Maximum Operating Temperature | +175 C |
| Minimum Operating Temperature | -55 C |
| Forward Transconductance - Min | 6 S |
| Rds On - Drain-Source Resistance | 156 mOhms |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage | -60 V |