NTP165N65S3H, 650V 19A 142W 132mOhm@10V,9.5A 4V@1.6mA N Channel 1.808nF@400V 35nC@10V -55°C~+150°C@(Tj) TO-220 MOSFETs
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8017661231
- Артикул
- NTP165N65S3H
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Series
- NTP165N65S
- Pin Count
- 3
- Вес, г
- 3.06
- Channel Mode
- Enhancement
Цена по запросу
(от 216,64 ₽)
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП−транзистор ON Semiconductor SUPERFET III относится к семейству МОП−транзисторов с высоковольтным суперпереxодом (SJ), в которыx используется теxнология балансировки заряда, обеспечивающая выдающееся низкое сопротивление на вxоде и более низкую производительность заряда затвора.
Технические параметры
| Series | NTP165N65S |
| Pin Count | 3 |
| Вес, г | 3.06 |
| Channel Mode | Enhancement |
| Channel Type | N |
| Package Type | TO-220 |
| Корпус | TO-220 |
| Mounting Type | Through Hole |
| Структура | N-Channel |
| Transistor Material | Si |
| Особенности | высоковольтный |
| Number of Elements per Chip | 1 |
| Maximum Drain Source Voltage | 650 V |
| Maximum Gate Threshold Voltage | 4V |
| Maximum Drain Source Resistance | 0.165 Ω |
| Maximum Continuous Drain Current | 19 A |
| Пороговое напряжение на затворе | 4V@250uA |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 19 |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 142 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |
| Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on) | 132мОм |