N-Channel MOSFET, 30 A, 650 V, 3-Pin TO-220 NTP110N65S3HF
Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию
- Код товара
- 8037176950
- Артикул
- NTP110N65S3HF
- Бренд
- ON Semiconductor***
- Brand:
- onsemi
- Fall Time:
- 25 ns
- Packaging:
- Tube
- Rise Time:
- 25 ns
Цена по запросу
(от 890 ₽)
Минимальный заказ: 2 шт.
Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.
Описание
МОП-транзистор Power МОП-транзистор, N-Channel, SUPERFET III, FRFET , 650 V, 30 A, 110 mO, TO-220
Технические параметры
| Brand: | onsemi |
| Fall Time: | 25 ns |
| Packaging: | Tube |
| Rise Time: | 25 ns |
| Вес, г | 1 |
| Серия | SuperFET3 |
| Technology: | Si |
| Channel Type | N Channel |
| Subcategory: | MOSFETs |
| Корпус | TO-220 |
| Channel Mode: | Enhancement |
| Manufacturer: | onsemi |
| Package/Case: | TO-220-3 |
| Product Type: | MOSFET |
| Configuration: | Single |
| Mounting Style: | Through Hole |
| Transistor Type: | 1 N-Channel |
| Упаковка | Tube |
| Power Dissipation | 240Вт |
| Product Category: | MOSFET |
| Qg - Gate Charge: | 62 nC |
| Структура | N-Channel |
| Number of Channels: | 1 Channel |
| Transistor Polarity: | N-Channel |
| Технология | Si |
| Вид монтажа | Through Hole |
| Время спада | 25 ns |
| Factory Pack Quantity: | 800 |
| Особенности | высоковольтный |
| Pd - Power Dissipation: | 240 W |
| Тип продукта | MOSFET |
| Конфигурация | Single |
| Подкатегория | MOSFETs |
| Vgs - Gate-Source Voltage: | -30 V, +30 V |
| Typical Turn-On Delay Time: | 24 ns |
| Торговая марка | ON Semiconductor |
| Упаковка / блок | TO-220-3 |
| Typical Turn-Off Delay Time: | 85 ns |
| Канальный режим | Enhancement |
| Тип транзистора | 1 N-Channel |
| Id - Continuous Drain Current: | 30 A |
| Maximum Operating Temperature: | +150 C |
| Minimum Operating Temperature: | -55 C |
| Qg - заряд затвора | 62 nC |
| Forward Transconductance - Min: | 18 S |
| Время нарастания | 25 ns |
| Drain Source On State Resistance | 0.098Ом |
| Rds On - Drain-Source Resistance: | 110 mOhms |
| Линейка Продукции | SUPERFET III FRFET |
| Категория продукта | МОП-транзистор |
| Количество Выводов | 3вывод(-ов) |
| Количество каналов | 1 Channel |
| Монтаж транзистора | Through Hole |
| Vds - Drain-Source Breakdown Voltage: | 650 V |
| Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage: | 3 V |
| Непрерывный Ток Стока | 30А |
| Рассеиваемая Мощность | 240Вт |
| Полярность транзистора | N-Channel |
| Пороговое Напряжение Vgs | 5В |
| Pd - рассеивание мощности | 240 W |
| Id - непрерывный ток утечки | 30 A |
| Коммерческое обозначение | SuperFET III |
| Напряжение Измерения Rds(on) | 10В |
| Напряжение Истока-стока Vds | 650В |
| Размер фабричной упаковки | 800 |
| Стиль Корпуса Транзистора | TO-220 |
| Vgs - напряжение затвор-исток | 30 V, + 30 V |
| Rds Вкл - сопротивление сток-исток | 110 mOhms |
| Vds - напряжение пробоя сток-исток | 650 V |
| Минимальная рабочая температура | 55 C |
| Максимальная рабочая температура | + 150 C |
| Типичное время задержки выключения | 85 ns |
| Типичное время задержки при включении | 24 ns |
| Vgs th - пороговое напряжение затвор-исток | 3 V |
| Максимальное напряжение сток-исток Uси,В | 650 |
| Уровень Чувствительности к Влажности (MSL) | MSL 1-Безлимитный |
| Сопротивление во Включенном Состоянии Rds(on) | 0.098Ом |
| Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А | 30 |
| Крутизна характеристики прямой передачи - Мин. | 18 S |
| Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт | 240 |
| Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В | ±20В |