Моя заявка (0)
NTP095N65S3HF, MOSFETs FRFET 650 V 65 A 95 mOhm TO-220

Изображения служат только для ознакомления, см. техническую документацию

Код товара
8005375530
Артикул
NTP095N65S3HF
Бренд
ON Semiconductor***
Type
Power MOSFET
Width
4.7mm
Mounting
Through Hole
Polarity
N
Цена по запросу
(от 898 ₽)

Стоимость и сроки поставки подтвердит менеджер после заявки.

Описание

MOSFET SUPERFET III − это совершенно новое семейство высоковольтныx МОП−транзисторов super−junction (SJ) от Semiconductor, в котором используется теxнология балансировки заряда, обеспечивающая выдающееся низкое сопротивление на вxоде и более низкую производительность заряда затвора.

Технические параметры

TypePower MOSFET
Width4.7mm
MountingThrough Hole
PolarityN
PackagingRail/Tube
Pin Count3+Tab
Вес, г2.03
Channel ModeEnhancement
Channel TypeN
Package TypeTO-220
Rad HardenedNo
КорпусTO-220
Mounting TypeThrough Hole
Power Dissipation272(W)
Number of Elements1
СтруктураMOSFET
Drain-Source On-Volt650(V)
Operating Temp Range-55C to 150C
Forward Diode Voltage1.3V
Особенностивысоковольтный
Continuous Drain Current36(A)
Transistor ConfigurationSingle
Gate-Source Voltage (Max)'±30(V)
Maximum Power Dissipation272 W
Typical Gate Charge @ Vgs66 nC @ 10 V
Maximum Gate Source Voltage±30 V
Number of Elements per Chip1
Maximum Drain Source Voltage650 V
Maximum Operating Temperature+150 °C
Minimum Operating Temperature-55 °C
Maximum Gate Threshold Voltage5V
Minimum Gate Threshold Voltage3V
Maximum Drain Source Resistance95 mΩ
Maximum Continuous Drain Current36 A
Operating Temperature ClassificationMilitary
Пороговое напряжение на затворе4V@250uA
Максимальное напряжение сток-исток Uси,В650
Максимальный ток сток-исток при 25 С Iси макс..А65
Максимальная рассеиваемая мощность Pси макс..Вт272
Максимальное напряжение затвор-исток Uзи макс.,В±20В
Сопротивление канала в открытом состоянии Rси вкл. (Max) при Id, Rds (on)95 мОм

Техническая документация